3、“腔体侵蚀”变异--工艺窗口之敌：等离子体持续侵蚀腔体内壁和部件，不仅自身成为污染源，更会改变腔体的内表面化学性质与几何形貌。这种“腔体漂移”会不可预测地改变工艺气体流场和等离子体分布，导致刻蚀速率、薄膜均匀性等关键工艺参数失控，大幅缩窄工艺窗口，使产品一致性难以保障。
三、破局之道：为核心部件注入“无机防护基因”
本方案核心，在于将GT系列高温涂层载体作为一道关键的无机防护屏障，通过精密涂覆与烧结工艺，在半导体核心耗材表面形成一层致密、光滑、高纯度且与基体牢固结合的玻璃质陶瓷层，从根源上阻断污染源的产生。
核心价值主张：“零金属污染，零颗粒脱落，决战前道良率之巅”
1、锁住“污染门”：GT系列熔融后形成的非晶态致密层，具备卓越的阻隔性能，能有效防止基材金属离子向腔室环境迁移，为铝、不锈钢等经济型基材穿上“防护铠甲”，将其金属污染风险降至最低。
2、构筑“光滑墙”：涂层表面光滑坚硬，显著降低颗粒物附着与产生的概率，并能耐受高频次的晶圆传输摩擦，从源头减少导致图形缺陷的颗粒污染。
3、抵御“等离子体侵蚀”：涂层本身具备优异的化学惰性与抗等离子体侵蚀能力，能显著延长腔室内衬、匀气板、载具等核心耗材的使用寿命，维持工艺腔室的长期稳定性，降低总体拥有成本（CoO）。
四、更优性能阶梯
针对半导体前道不同工艺环节（如CVD、刻蚀、离子注入）对温度、纯度与耐蚀性的差异化要求，我们提供精准的型号选择：
1、GT45(基础防护型)核心特性与价值：软化点450℃，具备良好的密封性与基础防护能力，工艺窗口宽。适用场景：适用于工作温度相对较低、对成本敏感的传输载具、部分存储部件。
2、GT55(主流长效型)核心特性与价值：软化点550℃，热膨胀系数（80×10⁻⁷/K）与多种陶瓷匹配度佳，耐候性更强，是实现长效防护的均衡之选。适用场景：广泛适用于CVD、PVD腔室内衬，刻蚀机固定环等主流严苛环境。
3、GT70(极端环境型)核心特性与价值：软化点高达700℃，具备极致的耐热性、化学稳定性与抗等离子体侵蚀能力。适用场景：专为高温CVD反应室、等离子体强度极高的刻蚀腔室、离子注入机等极端环境设计。
五、实施路径：三步植入可靠基因
1、共设计与精密涂覆：我们的技术团队将与您协同，分析您的部件结构、基材与工况，共同设计GT系列的最佳涂覆方案，并利用成熟的喷涂、浸涂或CVD工艺，将GT系列浆料精密施加于部件表面。
2、精准烧结与后处理：通过精准控温的烧结炉，在部件特定软化点温度下进行热处理，使其熔融流平形成致密保护层，随后进行精密加工与超洁净清洗，确保其满足半导体级洁净度要求。
3、全面严苛验证与导入：对涂层后部件进行SEM/EDS成分分析、表面粗糙度检测、出气测试、颗粒脱落测试及模拟工艺环境下的寿命加速测试，确保其满足半导体前道工艺的极致要求，方可导入产线。
六、结语
当半导体行业在物理极限与成本压力的双重夹击下艰难前行，对前道工艺每一个细微环节进行底层材料创新，是持续提升良率、降低成本的必由之路。埃米微纳GT系列半导体防护方案，不仅提供一种材料，更是提供一种为晶圆制造注入“纯净基因”的系统级能力，助力客户赢得这场关乎未来的良率之战。
【本方案所锤炼的极致纯净与抗侵蚀防护能力，其价值同样适用于显示面板、精密仪器等任何对洁净度与界面稳定性有严苛要求的制造领域，是提升高端制造良率的通用技术基石。】
【协同赋能】
本方案聚焦于通过GT系列提升半导体前道工艺核心耗材的寿命与纯净度。为助力客户构建更全面、领先的晶圆制造能力，埃米微纳还能为您提供以下关键协同支持：
Ø 为实现芯片终端高可靠互联，我们的FY系列烧结导电银浆能与本方案构成高效协同。它可为功率器件封装、先进封装（如SiP,Fan-Out）中的芯片贴装、导线连接等关键导电通道提供超低电阻、高导热与强韧附着，与本方案共同实现从“前道工艺环境净化”到“后道封装互联强化”的全链条高可靠保障。
Ø 为晶圆加工工具赋予更长寿命与更高精度，我们的陶瓷基高温防护涂料则提供了关键的功能补充。它能用于制备或修复CMP抛光垫修整器、精密陶瓷轴套等关键部件，赋予其超高硬度、耐磨性与化学稳定性，与本方案共同守护晶圆制造全流程的“精度”与“效率”。
上述协同方案是基于典型场景的推荐，我们更多强大的产品矩阵能为您量身定制全方位解决方案，若您对某个领域有特定需求，可浏览行业解决方案页面或拨打咨询热线获取专属技术支持！
